MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series FQP6N60C

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Descriptif

Fabricant: Fairchild Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: RoHS : conforme Détails
Id - Courant continu de fuite: 5.5 A
Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V
Rds On - Résistance drain-source: 2 Ohms
Polarité du transistor: N-Channel
Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 125 W
Style de montage: Through Hole
Marque: Fairchild Semiconductor
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 45 ns
Transconductance directe - min.: 4.8 S
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Temps de montée: 45 ns
Série: FQP6N60
Délai de désactivation type: 45 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
Poids de l''unité: 1,800 g

Les avis sur le produit MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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Alex_My - 02.12.2023
Stock, prix et rapidité ! 2ème commande avec Relais du son et pas déçu ! merci également à Matthieux pour son accueil

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