Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: MOSFET RoHS: RoHS : conforme Détails Id - Courant continu de fuite: 5.5 A Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V Rds On - Résistance drain-source: 2 Ohms Polarité du transistor: N-Channel Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: Through Hole Marque: Fairchild Semiconductor Mode canal: Enhancement Configuration: Single Temps de descente: 45 ns Transconductance directe - min.: 4.8 S Température de fonctionnement min.: - 55 C Temps de montée: 45 ns Série: FQP6N60 Délai de désactivation type: 45 ns Délai d'activation standard: 15 ns Poids de l''unité: 1,800 g
Les avis sur le produit MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series